VS-2EGH02-M3/5BT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | VS-2EGH02-M3/5BT |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
3200+ | $0.1529 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 2 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMBJ) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | FRED Pt® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 23 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 2 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 2A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | 2EGH02 |
VS-2EFU06HM3 VISHAY
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
VS-2EGH02HM3 VISHAY
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
VS-2EJH01HM3 VISHAY
VISHAY DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
VS-2EGH01HM3 VISHAY
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() VS-2EGH02-M3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|